2026年4月11日-12日，由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会（简称专委会）主办，杭州富加镓业科技有限公司、杭州镓仁半导体有限公司联合承办的“氧化镓单晶材料缺陷研究专题研讨会”在浙江杭州成功举行。中国有色金属学会副理事长兼秘书长高焕芝，专委会顾问委员、第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲，专委会主任委员、北京大学教授沈波，中国科学院上海光学精密机械研究所副所长邵宇川，中国有色金属学会副秘书长李芳，专委会副主任委员兼秘书长、广东省科学院教授级高级工程师陈志涛，专委会委员、研讨会会议主席齐红基研究员、张辉教授，专委会委员叶建东教授、唐宁教授、刘雯教授、梁红伟教授、郑晨焱技术总监、黄森研究员、周弘教授，专委会副秘书长赵维等来自全国高校、科研院所及产业界的50余位专家学者受邀参会研讨。

研讨会开幕式由教授级高级工程师陈志涛主持。会议主席、杭州富加镓业科技有限公司董事长齐红基研究员介绍了会议筹备背景及组织情况。高焕芝副理事长在致辞中高度肯定了系列专题研讨会的定位和成效，强调专题研讨会对攻克核心科学问题、推动产学研协同创新具有重要意义。邵宇川副所长在致辞中指出，氧化镓的缺陷问题是制约材料品质提升与器件产业化的关键瓶颈，希望本次会议有助于打通材料-器件-应用的技术链条。沈波教授在致辞中指出了高品质宽禁带半导体材料发展的重要性和必要性，期望通过本次研讨会进行产、学、研的交流与研讨，加快推进我国氧化镓材料技术进步和产业发展。

会议设置专题报告与研讨交流两大环节。报告环节于11日下午举行，先后由齐红基研究员和张辉教授主持，浙江大学马向阳教授、北京大学杨学林教授、山东大学胡小波教授、杭州镓仁半导体有限公司张辉教授、山东大学穆文祥教授、杭州富加镓业科技有限公司赛青林研究员、宁波东方理工大学魏苏淮教授、厦门大学张洪良教授、中国电子科技集团公司第四十六研究所程红娟正高级工程师、南京大学叶建东教授、西安电子科技大学周弘教授、中国科学技术大学徐光伟教授等12位专家学者，围绕氮化镓缺陷、单晶硅杂质缺陷、SiC单晶结构缺陷、氧化镓单晶缺陷研究、氧化镓外延薄膜缺陷、氧化镓功率器件进展及缺陷问题等作专题报告，系统分享了氧化镓材料的缺陷表征、机理分析、调控技术与器件应用的最新进展以及存在的问题和相关思考。

专题研讨环节于12日上午举行，先后由南京大学叶建东教授、华润微电子郑晨焱技术总监、沈波教授主持，与会专家围绕氧化镓外延p型掺杂调控策略与技术进展、氧化镓材料缺陷分类及其对器件性能与可靠性的影响机制、支持氧化镓材料和器件研究的国家科技计划政策建议三大核心议题展开深入讨论，现场研讨气氛热烈，为氧化镓单晶材料缺陷研究与技术突破提供了建设性思路与发展方向。

       在会议总结环节，沈波教授充分肯定了本次研讨会效果，指出在进一步深入开展氧化镓缺陷研究的同时，要进一步与应用牵引结合起来，以推动氧化镓技术更好服务国家战略。吴玲理事长对本次研讨会给予了充分肯定的同时，认为聚焦细分领域进行深度交流研讨正当其时、恰逢其势，对系列专题研讨会的定位、组织和成效给与高度评价，同时鼓励大家要进一步增强在国际技术竞争中锻长板的雄心和信心。