2026年9月18-19日，由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会（简称“专委会”）主办，南京大学、中国空间技术研究院北京卫星制造厂有限公司、江苏省第三代半导体与高能效器件重点实验室共同承办的“宽禁带半导体抗辐照功率电子器件专题研讨会”在江苏南京顺利召开。本次研讨会由专委会副主任委员、南京大学陆海教授，专委会委员、北京卫星制造厂有限公司万成安研究员共同召集。专委会主任委员、北京大学沈波教授（线上），专委会副主任委员兼秘书长、广东省科学院陈志涛教授级高工，专委会委员、中国科学院宁波材料研究所郭炜研究员，专委会委员、中国科学院微电子研究所黄森研究员，专委会委员、西交利物浦大学刘雯教授，专委会委员、深圳大学刘新科教授，专委会委员、中山大学刘扬教授，专委会委员、中国科学院苏州纳米所孙钱研究员，专委会委员、南京邮电大学唐为华教授，专委会委员、深圳平湖实验室万玉喜研究员，专委会委员、奥趋光电（杭州）有限公司吴亮总经理，专委会委员、南京大学叶建东教授，专委会委员、浙江大学张辉教授，专委会委员、吉林大学张源涛教授，专委会委员、广东工业大学张紫辉教授，专委会委员、华润微电子公司郑晨焱教授级高工，专委会副秘书长、山东大学徐明升教授，专委会副秘书长、广东省科学院半导体研究所赵维博士，专委会副秘书长、南京大学周峰教授等，共计来自41家单位的70余位产业界、学术界专家参会研讨。

研讨会开幕式由陈志涛教授级高工主持，沈波教授线上为大会致辞。他表示，当前宽禁带半导体功率器件加快进入空间电源、核技术等应用场景，抗辐照能力与可靠性保障面临诸多亟待解决的问题，本次研讨会召开得十分及时。会议汇聚了国内宽禁带半导体抗辐照功率电子器件领域的产、学、研、用各界专家，期望与会专家们充分交流、集思广益，为后续技术攻关提供有价值的思路与参考。

研讨会设置专题报告与专题研讨两大环节，其中专题报告环节分别由陆海教授、万成安研究员、西北核技术研究院陈伟研究员主持，11位专家（产业界6位，学术界5位）作了专题报告，其中北京卫星制造厂有限公司纪志坡副总师、西北核技术研究院陈伟研究员、星测未来科技李亚男副总裁、深圳市魔方卫星科技潘鹏飞经理，分别围绕宽禁带半导体抗辐照器件在宇航电源应用、强辐射环境应用、商业航天卫星以及太空算力应用等方面做专题报告。航天五院供应链中心于庆奎研究员、中国工程物理研究院段丙皇研究员、北京大学杨学林教授、西安电子科技大学郑雪峰教授，分别围绕宽禁带半导体器件抗辐射评估方法、中子辐照损伤、辐照环境下材料缺陷表征与器件性能退化机理等开展交流。浙江大学任娜教授、电子科技大学周锌教授、南京大学周峰教授，分别围绕SiC功率器件辐照效应与加固技术、GaN功率器件辐照效应与加固技术、脉冲激光模拟辐照测试技术等方面进行专题报告。

研讨环节由陆海教授与万成安研究员共同主持，与会专家围绕“宽禁带半导体器件的‘抗辐照本征优势’如何才能有效发挥”、“宽禁带半导体功率器件的单粒子烧毁（SEB）的物理机制仍不清晰，如何有效开展研究和有针对性加固”、“从‘能用’到‘好用’——国产宽禁带抗辐照功率器件的产业化‘最后一公里’在哪里？走‘专用路线’还是‘商用路线’”等议题开展了热烈深入的讨论。经过近三个小时的研讨，与会专家在多个问题上凝聚了重要共识。

最后，万成安研究员与陆海教授分别作总结发言。他们表示，本次研讨会按照专委会举办的系列专题研讨会的定位与要求，聚焦宽禁带半导体抗辐照功率电子器件这一主题，通过深入交流与研讨，凝聚了共识，研讨会取得了预期效果；希望以本次研讨会为契机，进一步聚焦宽禁带半导体抗辐照领域的关键共性技术和工程应用难题，加强业内交流与协同合作，共同促进我国宽禁带半导体功率电子器件抗辐照技术创新与产业化高质量发展。