通知公告
GaN基电子材料与器件专题研讨会成功举办
发布时间:2024/7/29 14:25:00 浏览次数:12700
2024年7月22-24日,由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会(以下简称“专委会”)主办,北京大学、西交利物浦大学、中国科学院微电子研究所、广东省科学院半导体研究所联合承办的GaN基电子材料与器件专题研讨会在新疆伊犁成功举行。中国有色金属学会高焕芝副理事长兼秘书长,专委会顾问委员杨德仁院士、刘益春院士、吴玲理事长、张国义教授,专委会常务副主任委员沈波教授等近60位来自行业主要企业和高校科研院所的专家学者受邀参加会议。 研讨会开幕式由会议主席、召集人沈波教授主持,第三代半导体产业技术创新战略联盟吴玲理事长和中国有色金属学会高焕芝副理事长兼秘书长先后为会议致辞。沈波教授介绍了组织此次会议的背景,GaN电子材料与器件近年技术发展迅速,我国正处在赶超世界水平的关键时期,组织本次专题研讨会以期通过产学研深度交流为我国该领域创新能力进一步提升发挥积极作用,并为国家制定相关科技计划提供依据。
北京大学沈波教授主持开幕式并报告会议筹备情况
第三代半导体产业技术创新战略联盟吴玲理事长致辞
中国有色金属学会高焕芝副理事长兼秘书长致辞
本次会议分为报告和研讨两个环节。报告环节先后由杨德仁院士、刘益春院士主持,15位专家(其中产业界8位,学术界7位)围绕GaN功率电子器件和GaN射频电子器件,从材料、器件、电路、应用、装备等几个方面进行了专题报告,并重点就当前所面临的问题和挑战以及相应解决方案的思考做了分享:专委会副主任委员、香港科技大学陈敬教授作《氮化镓异质结器件的横纵拓展》报告,专委会委员、珠海镓未来公司CEO吴毅锋博士作《AI时代功率器件的重组》报告,电子科技大学罗小蓉教授做《硅基功率半导体发展历程给Power GaN的启示》报告,东南大学孙伟峰教授作《GaN功率器件技术研究进展》报告,专委会委员、华为数字能源黄伯宁Fellow作《AI智算中心对供电的挑战》报告,深圳市汇川技术公司柏子平总工程师作《GaN功率器件在电机驱动领域的应用探讨》报告,湖南三安半导体公司刘成高级工程师作《工业及汽车应用下GaN功率器件发展趋势与技术挑战》报告,航天五院529所万成安总工程师作《宇航用高电压GaN基功率电子器件相关技术探讨》报告,专委会副主任委员、中电科55所陈堂胜研究员作《GaN微波功率器件技术发展》报告,西安电子科技大学马晓华教授作《面向终端应用的硅基氮化镓射频功率器件研究进展》报告,中兴通讯股份有限公司刘建利无线技术总工作《氮化镓射频器件在移动通信领域的应用》报告,专委会委员、中国科学院苏州纳米技术与仿生研究所孙钱研究员作《硅基氮化镓电子材料生长研究进展》报告,苏州纳维科技有限公司总经理王建峰研究员作《应用于同质外延电力电子器件GaN单晶衬底制备技术》报告,北方华创科技集团股份有限公司杨牧龙总监作《宽禁带材料外延装备技术及产业协同》报告,中微半导体设备有限公司郭世平副总裁作《用于氮化镓功率器件的MOCVD装备发展现状及展望》报告。
杨德仁院士主持论坛报告会
刘益春院士主持论坛报告会
研讨会环节由沈波教授主持,参会专家重点围绕“氮化物半导体功率器件实现1200V及以上和48V及以下应用还有哪些关键问题需要解决”、“GaN 基射频器件实现终端应用(如手机)还有哪些关键科学技术问题需要解决”、“对国家相关科技计划支持氮化物半导体电子材料和器件的具体建议”三个议题进行了深入讨论。会议现场研讨氛围热烈,与会专家和嘉宾各抒己见,思维火花四溅,精彩观点纷呈。最后张国义教授对会议进行了总结,充分肯定了专题研讨会会议组织和会议效果,对GaN电子材料与器件技术发展前景做了展望。
专委会顾问委员张国义教授作会议总结
此次会议得到了北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室、北京大学纳光电子前沿科学中心、北京大学宽禁带半导体研究中心、中国科学院微电子研究所、粤科光智(广州)科技有限公司、苏州纳维科技有限公司、北方华创科技集团股份有限公司、上海中微半导体设备有限公司、苏州晶湛半导体有限公司、苏州立琻半导体有限公司、北京中博芯半导体科技有限公司等协办单位的大力支持。专委会副主任委员康俊勇教授、陆海教授、张进成教授,专委会副主任委员兼秘书长陈志涛教授级高工,专委会委员黎大兵研究员、黄森研究员、刘扬教授、龙世兵教授、万玉喜博士、于洪宇教授,专委会副秘书长赵博博士参加会议。
【专题研讨会背景】近年来,我国宽禁带半导体领域技术和产业取得长足发展,在技术研发方面,处于国际并跑甚至领跑水平的技术进展不断涌现,在此背景下,我国该领域创新能力的进一步提升对深度的学术技术交流与碰撞提出了现实而迫切的需求。为此,中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会决定举办系列聚焦细分领域的专题研讨会,专题研讨会的定位要求在于既交流已有进展,更鼓励面向未来深入研讨当前待研究的科学问题或存在的技术难题,以及探讨相应解决之道。专委会通过举办该系列专题研讨会,以期对我国宽禁带半导体领域更多的0到1创新能力提升发挥积极作用,进而促进我国该领域科学研究水平提升和技术进步,贡献产业高质量发展。
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