10月24日-10月27日，第五届全国宽禁带半导体学术会议在苏州工业园区圆满召开。来自全国各科研院所、高校、行业领域相关企业的700余位专家、学者及参会代表齐聚一堂，共话宽禁带半导体研究和发展，分享材料与器件研究的最新研究情况，探讨发展趋势与前沿技术，促进协同创新发展。

本次大会由中国电子学会电子材料分会、中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会作为指导单位，苏州实验室、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所共同主办，江苏第三代半导体研究院、苏州纳米科技发展有限公司、江苏省实验室联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟、苏州市第三代半导体产业创新中心等单位共同承办，荷塘创业投资管理（北京）有限公司特别赞助支持，并得到了34家企业和单位的合作支持。

会议在发起两周内，受到了业界的热烈反馈和积极回应，共700余位业界知名院士、专家、学者、企业家代表参加会议，其中长江/杰青40多位，四青类人才100多位，并在两周内收到300余份报告摘要。

中国科学院院士，北京大学教授甘子钊院士，中国科学院院士，南京大学教授郑有炓院士，中国科学院院士、西安电子科技大学教授、国家自然科学基金委信息学部主任郝跃院士，中国科学院院士、南昌实验室主任江风益院士、国家自然科学基金委信息学部副主任何杰，厦门大学党委书记张荣教授，中国科学院半导体研究所研究员李晋闽，北京大学教授、理学部副主任沈波教授，科技部高新司材料处原处长徐禄平，中国科学院苏州纳米所原所长、苏州实验室筹建班子成员杨辉研究员，中国科院半导体研究所原副所长、国家第三代半导体产业技术战略联盟秘书长杨富华，清华大学潘峰教授，中国科学院物理研究所陈小龙研究员，北京大学张国义教授，国家第三代半导体技术创新中心（苏州）副主任、江苏第三代半导体研究院院长徐科，以及苏州工业园区管委会等领导及嘉宾参加会议。

大会开幕式由大会组委会主席江风益院士主持，江院士表示，宽禁带半导体是关系国家重大战略发展的硬科技，其带动面广、辐射面强，是带动经济发展，塑造新动能、新优势的重要抓手。希望通过本次大会的深度研讨，学术界与产业界充分交流，分享最新的研究成果，探讨发展趋势和前沿技术，共同促进科技和产业的高质量发展，助推中国式现代化早日实现。

大会主席郝跃院士在致辞中表示，宽禁带半导体是关系信息、能源、交通、安全等领域自主可控的关键技术。当前正值全球半导体格局重塑的关键时期，新材料驱动半导体发展新战略，在补短板的同时，国家注重筑长板、建优势，在此宽禁带半导体发展的关键时期，召开此次大会，希望领域的专家、学者和业界朋友共同探讨科学技术和产业方向，针对宽禁带半导体的深度发展建言献策，并开展广泛讨论，在日益严峻的形势下，宽禁带半导体如何实现自立自强，不断推进在材料、器件、封装、应用等的深入研究和全面发展，共同促进宽禁带半导体技术交流和产业的创新发展。

本次会议共收到300余份摘要，经组委会讨论，推选出11个大会报告，并在四个主题方向选出 63个分会特邀报告，87个口头报告，以及122个张贴报告。具体围绕“材料生长、表征与装备”、“光电子器件与应用”、“功率电子器件与应用”、“超宽禁带半导体与前沿交叉”等四个主题开展，现场反响热烈。

全国宽禁带半导体学术会议于2015年在苏州第一次举办，此后每两年举办一次，迄今已成功举办五届，会议规模和影响力不断增强，已成为我国宽禁带半导体领域的学术盛会，对促进我国宽禁带半导体领域的发展，加强交流与协同创新，起到有力的推动作用。