11月21日，中国科学院公布了2025年增选院士名单，中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会副主任委员、中国科学院物理研究所陈小龙研究员当选中国科学院院士。

陈小龙研究员，1991年博士毕业于中国科学院物理研究所，长期从事功能晶体材料研究工作，发展了宽禁带半导体碳化硅晶体生长新方法，作为第一完成人，先后获国家自然科学二等奖、省部级科技一等奖、中国发明协会特等奖等奖项。

陈小龙院士的当选，再次体现了我国宽禁带半导体领域取得的发展获得科技界的认可，将进一步促进我国宽禁带半导体领域更好贡献我国科技自立自强。