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“宽禁带半导体光学特性与器件” 专题研讨会成功举办
发布时间:2025/8/1 14:23:00 浏览次数:3192
2025年7月30日,由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会(简称专委会)主办,宽禁带半导体超越照明与技术全国重点实验室、郑州大学、广东省科学院半导体研究所承办的“宽禁带半导体光学特性与器件”专题研讨会在河南郑州成功举行。专委会副主任委员兼秘书长、广东省科学院半导体研究所陈志涛教授级高工,专委会委员、清华大学大学汪莱教授,专委会委员、郑州大学单崇新教授,专委会委员、北京大学唐宁教授,专委会委员、山东大学陈秀芳教授,专委会委员、杭州奥趋光电技术有限公司吴亮总经理,专委会副秘书长、广东省科学院半导体研究所赵维高工,专委会副秘书长、山东大学徐明升教授等近30位来自高校科研院所和企业的专家受邀参会研讨。 研讨会开幕式由会议主席单崇新教授主持。会议主席汪莱教授介绍了会议筹备背景及组织情况,并指出随着宽禁带半导体研究的不断深入,其在光学领域的应用潜力也越加显现,也更加受到产业界和学术界的重视,本次专题研讨会特别邀请了来自不同高校和企业的专家,共同就宽禁带半导体材料的光学特性及其器件进行交流研讨。受专委会主任委员沈波教授委托,陈志涛教授级高工代表专委会致辞时介绍了系列专题研讨会举办情况,并指出,实践表明举办聚焦细分领域的专题研讨会是促进产、学、研深度交流与协同创新的一种有效方式。 会议分为报告及研讨环节。报告环节有10位专家作专题报告,重点就当前宽禁带半导体材料在光学应用领域面临的问题和挑战,以及相应解决方案的思考做了分享。其中郑州大学教授倪佩楠、郑州大学副教授胡永生、合肥先端晶体科技有限责任公司总经理宋学瑞、中北大学研究员张佳辰等四位老师分别围绕金刚石微纳光学元件及其应用研究、高功率人眼安全波段金刚石拉曼激光器、量子级金刚石研究与产业化、金刚石氮空位(NV)色心控制和应用等做专题报告。北京天科合达半导体股份有限公司市场总监史慧玲、山东大学教授陈秀芳两位老师分别围绕碳化硅材料AR显示用SiC衬底的技术开发及产业进展、光学级碳化硅单晶技术进展做专题报告。清华大学教授孙长征、奥趋光电技术(杭州)有限公司CEO 吴亮、北京大学教授唐宁、西安电子科技大学彭博教授四位老师分别围绕氮化物微腔中的非线性光学效应、半导体AlN单晶生长及应用、宽禁带半导体材料和器件的深紫外光谱研究等方面对宽禁带半导体中氮化物晶体生长、光学特性及应用、氧化镓中过渡金属杂质能级位置和载流子俘获特性研究做专题报告。 研讨环节由会议主席汪莱教授主持,与会专家重点围绕“金刚石有哪些不可或缺的光学特性?基于这些性质有哪些独特的应用场景?要实现这些应用需解决哪些科学或技术问题?”、“面向光波导等应用领域的宽禁带半导体光学透过率影响因素有哪些?”、“宽禁带半导体非线性光学效应的应用前景”三个议题展开深入讨论。现场研讨气氛热烈,专家们各抒己见,观点精彩纷呈。 最后,单崇新教授对会议进行了总结。他对系列专题研讨会的定位和组织模式给予了高度评价,认为本次专题研讨会聚焦于宽禁带半导体材料光学特性研究,围绕行业最关心的问题展开了深入的交流与思想碰撞,涉及的材料包括金刚石、碳化硅、氧化镓、氮化镓和氮化铝等,形成了很多有益的启发,将为新型光电器件产业化应用提供新的思路和方向。 本次会议是中国有色金属学会第十五届学术年会的分会之一。年会是中国有色金属学会主办的有色金属领域覆盖面最广、学术水平最高的综合性学术盛会,每两年召开一次,本届年会共有包括11位院士在内的、来自高校、科研院所、企业共计约1500余位专家学者和科技人员出席。 |


