“碳化硅晶体缺陷与器件可靠性”专题研讨会成功举办

2025年7月12-13日，由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会（简称“专委会”）主办，山东大学晶体材料全国重点实验室、第三代半导体产业技术创新战略联盟、山东大学新一代半导体材料研究院、广州南砂晶圆半导体技术有限公司承办的“碳化硅晶体缺陷与器件可靠性”专题研讨会在山东济南成功举办。专委会顾问委员、南昌大学江风益院士，专委会主任委员、北京大学沈波教授，专委会副主任委员、山东大学徐现刚教授，第三代半导体产业技术创新战略联盟杨富华副理事长，专委会副主任委员兼秘书长、广东省科学院半导体研究所陈志涛教授级高工，专委会委员、山东大学陈秀芳教授，专委会委员、复旦大学张清纯教授，专委会委员、大连理工大学王德君教授，专委会委员、中山大学刘扬教授，专委会委员、天津工业大学梅云辉教授，专委会委员、中国电子科技集团第五十五研究所李忠辉研究员，专委会委员、中电化合物半导体有限公司潘尧波总经理，专委会委员、杭州奥趋光电吴亮总经理，专委会副秘书长徐明升教授等来自18家高校科研院所和10家主要企业的专家受邀参与研讨。

研讨会开幕式由山东大学晶体材料全国重点实验室常务副主任于浩海教授主持，会议主席徐现刚教授、专委会主任委员沈波教授、第三代半导体技术创新战略联盟杨富华副理事长分别为会议致辞。会议分为报告及研讨两个环节，报告环节于12日下午举行，先后由长飞先进半导体副总裁刘红超、上海积塔半导体总经理助理兼七厂厂长吴贤勇、山东大学陈秀芳教授主持，邀请了学术界和产业界共11位专家作专题报告，重点就当前面临的问题和挑战，以及相应解决方案的思考作了分享。其中，山东大学陈秀芳教授、南砂晶圆胡小波教授分别围绕碳化硅单晶技术进展及发展趋势、单晶中的位错和层错表征及转化机理作了专题报告；中电科第十三所房玉龙研究员、西安电子科技大学宋庆文教授、复旦大学张清纯教授、中电科第五十五所黄润华副主任设计师、大连理工大学王德君教授、上海积塔吴贤勇总经理助理兼七厂厂长分别围绕碳化硅高质量外延、衬底及外延缺陷对碳化硅MOSFET器件的可靠性影响作了专题报告；天津工业大学梅云辉教授、浙江大学余学功教授、湖南顶立科技股份有限公司戴煜董事长分别围绕功率半导体封装技术、直拉硅单晶生长及缺陷调控、大尺寸碳化硅单晶生长用TaC涂层技术等方面进行了专题报告。

研讨环节于13日上午举行，先后由徐现刚教授和房玉龙研究员主持。与会专家围绕“晶体缺陷的起源、表征及未来发展趋势（1、碳化硅单晶生长及外延工艺中的缺陷形成、控制、表征及未来发展趋势；2、Si/GaAs/GaN/金刚石等半导体及薄膜缺陷类型与特征）”和“缺陷对器件性能、可靠性影响及未来发展趋势（1、缺陷对Si/GaAs/SiC/GaN等半导体器件性能及可靠性的影响；2、封装互连可靠性挑战、系统级考量及未来发展趋势）”两个议题展开深入讨论。专家们围绕议题积极发表见解，现场研讨氛围热烈。

最后，江风益院士对本次会议作了总结发言。他充分肯定了会议取得的成效，同时，他希望大家进一步解放思想、开拓创新，持续加强产学研协同，共同推进我国碳化硅领域创新发展。

会议期间，与会专家参观了山东大学晶体材料全国重点实验室。本次专题研讨会也是纪念蒋民华先生诞辰90周年系列活动之一。